?2006
Fairchild Semiconductor
Cor
poration
FFB20UP20S Rev.C1
FFB20UP20S
Ultrafast
Diode
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
FFD04H60S DIODE HYPERFASTII 600V 4A DPAK
FFD08S60S_F085 DIODE STEALTH 600V 8A DPAK
FFD10UP20S DIODE ULT FAST 200V DPAK
FFD20UP20S DIODE ULT FAST 200V 20A DPAK-3
FFH15S60STU DIODE STEALTHII 600V 15A TO247-2
FFH30S60STU DIODE STEALTHII 600V 30A TO247-2
FFH50US60S DIODE STEALTH 600V 50A TO247-2
FFH60UP40S3 DIODE ULT FAST 60A 400V TO247-3
相关代理商/技术参数
FFB20UP30DN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE ULTRA-FAST TO-263
FFB20UP30DNTM 功能描述:整流器 HIGH_VOLTAGE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
FFB20UP30DNTPTM 功能描述:整流器 Ultrafast Rcvry Pwr Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
FFB2222A 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FFB2222A_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
FFB2227A 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FFB2227A_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FFB24A0117K-- 制造商:AVX 制造商全称:AVX Corporation 功能描述:Medium Power Film Capacitors